2-6寸本征高阻不摻雜拋光硅片參數規格

生長方式：  區熔 FZ

     晶向： 111/100

    電阻： 800-5000Ω·cm（電阻范圍可選、也可按照客戶需要訂制）

    厚度： 300-5000μm（厚度范圍可選、也可按照客戶需要訂制）

 平整度TIR：<3μm

 彎曲度Bow:  <15μm

翹曲度TTV:  <15μm

粗糙度nm :  <0.5nm

庫存現有厚度：需訂制

盒裝硅片 :25片裝(鍍鋁箔真空包裝)

聯系方式：13735050004
郵箱    ：17243284@qq.com 
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