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新推出的IGBT器件能夠提高系統的開關性能,降低電路設計的復雜度,此外由于無需加裝電容器和齊納二極管,它還可以降低系統成本。通常,為了達到最高的能效和耐用性需要加裝電容器和齊納二極管,但采用TRENCHSTOP 5 S5無需加裝它們。此外,新器件的浪涌電流處理能力提高了25%,可進一步提高器件的耐用性和質量水平,讓客戶對自身設計的堅固性更有信心。在175°C的溫度下,新推出的器件的典型飽和電壓 VCE(sat) 僅為1.60 V,創行業新低。因此,即便在高溫工作條件下,新器件也能保持較高的能效。
供貨情況
首批推出的全新IGBT型號的電流級別分別為30A、40A、50A和75A,采用三管腳TO-247封裝,混裝Rapid1續流二極管。