更新觀念 保護技術

    日前，國家知識產權局向東汽峨半廠所發來書面通知，正式受理廠所關于《真空區熔高阻硅單晶的制備方法》的首個專利申請，該專利申請的受理，標志著廠、所在知識產權保護方面邁出了實質性的一步。

    多年來，由于受到舊觀點及特殊歷史環境的影響，廠、所研發的大量的科技成果均沒有申報專利，導致了一些技術秘密的流失，極大地削弱了廠、所的市場競爭力。隨著近年來廠所的快速發展，特別是東汽入主后，知識產權方面的現狀引起了廠、所決策層的高度重視，將知識產權保護作為一項重要任務來抓，并責成科研處具體負責。自2008年，科研處工作人員為專利申報做了大量的基礎準備工作，對廠、所現有的科技成果狀況進行了梳理，就可能申報專利的科技成果進行了專利查新，多次與專利事務所、地方知識產權局等單位洽談，最終確定將《真空區熔高阻硅單晶的制備方法》作為專利向國家提出首個專利申請，并順利獲得受理。此次專利申報工作的開展，為規范廠、所知識產權保護工作打開了新局面，今后科研處全體工作人員將進一步加強工作力度，提高知識產權保護工作管理水平，為廠、所又好又快的發展作貢獻。