松下公司(Panasonic Corporation)商業規格(143.7 cm²)的單晶硅“HIT”太陽能電池日前實現25.6%創紀錄的轉換效率。
效率紀錄的一個關鍵性突破是首次在其異質結技術中啟用背接觸電極。此前該公司創下的紀錄為2013年二月啟用一款101.8 cm²電池產生24.7%的轉換效率。
然而,松下表示,降低復合損耗、光損耗和電阻損耗是該效率紀錄的貢獻因素。電阻損耗的減少是遷移至背接觸電池的一個關鍵方面,同時將短路電流密度(Jsc)提高到41.8mA/cm²來自背接觸電池的貢獻,而此前為39.5mA/cm²。
松下表示,其此前的HIT電池結構上表面電極已經得到更薄柵極電極的優化,但是當電流轉移至柵極電極,在電池背面放置電極降低了電阻損耗。該公司還報告通過改善非晶薄膜硅層的電阻損耗,0.827的高填充因子(FF)。
上表面非晶硅的沉積改善還導致每攝氏度-0.25%的高溫度系數,其造成在高開路電壓(Voc)及高溫條件下。穩定的高轉換效率。
松下表示,其正在考慮未來批量生產該背接觸電池,但是沒有給出時間表。
效率紀錄的一個關鍵性突破是首次在其異質結技術中啟用背接觸電極。此前該公司創下的紀錄為2013年二月啟用一款101.8 cm²電池產生24.7%的轉換效率。
然而,松下表示,降低復合損耗、光損耗和電阻損耗是該效率紀錄的貢獻因素。電阻損耗的減少是遷移至背接觸電池的一個關鍵方面,同時將短路電流密度(Jsc)提高到41.8mA/cm²來自背接觸電池的貢獻,而此前為39.5mA/cm²。
松下表示,其此前的HIT電池結構上表面電極已經得到更薄柵極電極的優化,但是當電流轉移至柵極電極,在電池背面放置電極降低了電阻損耗。該公司還報告通過改善非晶薄膜硅層的電阻損耗,0.827的高填充因子(FF)。
上表面非晶硅的沉積改善還導致每攝氏度-0.25%的高溫度系數,其造成在高開路電壓(Voc)及高溫條件下。穩定的高轉換效率。
松下表示,其正在考慮未來批量生產該背接觸電池,但是沒有給出時間表。