GT Advanced Technologies (Nasdaq: GTAT)將出席于2013年10月16至17日在臺灣臺北舉行的LED Forum Taipei 2013。屆時，GT首席技術官Raghavan博士將與與會者一同探討高效氫化物氣相磊晶(HVPE)氮化鎵(GaN)系統的關鍵元素，以及該系統預期能為制造商帶來的優勢。 

今年5月，GT宣布將利用Soitec Phoenix Labs（Soitec旗下子公司）獨家擁有的HVPE專利技術，包括有望降低輸送至HVPE反應器的前驅體成本的新穎且先進的源輸送系統，開發、生產及商業化HVPE系統。這套HVPE系統可實現藍寶石基GaN的規模化、低成本生產。GT估計其HVPE系統可降低超過80%的前驅體成本，同時提高昂貴的MOCVD制程的產量，并且最高可降低25%的資本支出。HVPE系統預計將于2014年下半年上市。

有關LED Forum Taipei 2013研討會相關議程信息，請瀏覽http://seminar.ledinside.com/Ledforum/current/US/agenda/。GT的相關演示文稿載于本公司網站http://investor.gtat.com/events.cfm。

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GT Advanced Technologies Inc.是一家多元化科技公司，為全球太陽能、LED及電子行業提供創新的晶體生長設備及解決方案。我們的產品促進了提高性能、降低生產成本的新興先進材料的推廣應用。有關GT Advanced Technologies的更多信息，請瀏覽www.gtat.com。