隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展,IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴(kuò)展到消費(fèi)電子應(yīng)用,成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件;而在中國市場(chǎng),軌道交通、家電節(jié)能、風(fēng)力發(fā)電、太陽能光伏和電力電子等應(yīng)用更是引爆了IGBT應(yīng)用市場(chǎng)。據(jù)IHS iSuppli公司中國研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報(bào)告,由于綠色能源與能源效率得到更多的重視,以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策,2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)銷售額的復(fù)合年度增長(zhǎng)率將達(dá)13%。2011年IGBT銷售額將達(dá)到8.59億美元,2015年有望達(dá)到13億美元,如下圖所示。與其它MOSFET等其它分立功率元件相比,中國IGBT銷售額增長(zhǎng)強(qiáng)勁。
IGBT產(chǎn)品可以分為IGBT模組和分立器件。由于功率輸出較高、尺寸較小和在終端應(yīng)用中的可靠性,IGBT模組廣泛用于幾乎所有的電子產(chǎn)業(yè),從消費(fèi)領(lǐng)域一直到工業(yè)領(lǐng)域。2010年,模組占總體IGBT銷售額的73%,達(dá)到5.37億美元。IGBT分立元件則占剩余的27%。2010年總體IGBT銷售額達(dá)到7.1億美元,比2009年的4.3億美元大增65%。
挑戰(zhàn)及差距
雖然市場(chǎng)空間巨大,但目前國內(nèi)IGBT市場(chǎng)仍為英飛凌和三菱等國外廠商的壟斷,南京銀茂微電子銷售總監(jiān)估計(jì)國內(nèi)IGBT市場(chǎng)95%以上都是進(jìn)口的產(chǎn)品。盡管國外IGBT巨頭在國內(nèi)有一些投資或者合資企業(yè),但在IGBT方面對(duì)中國還是實(shí)行技術(shù)封鎖,所以真正的核心技術(shù)并沒有流向中國,這嚴(yán)重制約了我國IGBT產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程。
“與國外廠商相比,國產(chǎn)IGBT主要差距在器件設(shè)計(jì),工藝和生產(chǎn)制造技術(shù)方面,以及整個(gè)終端應(yīng)用的解決方案上面。另外,IGBT原材料的供應(yīng)也會(huì)一定程度上影響國產(chǎn)IGBT的發(fā)展”。華潤(rùn)上華分立器件產(chǎn)品開發(fā)中心總經(jīng)理吳宗憲實(shí)事求是的說,他同時(shí)表示,盡管國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展比較快,但是因?yàn)楦鞣矫娲嬖诘牟罹啾容^大,要趕上國際水平的話則需要5-10年時(shí)間。
西安芯派的總經(jīng)理羅義則悲觀的多,他認(rèn)為目前的形勢(shì)下國內(nèi)IGBT趕上國外水準(zhǔn)是癡人說夢(mèng),他解釋道:“國內(nèi)目前IGBT產(chǎn)業(yè)只能說是剛剛起步,技術(shù)和工藝基本上都是空白,一方面,IGBT的技術(shù)日新月異,更新很快,國內(nèi)企業(yè)很難跟上步伐,更不要說是趕超了。另一方面,國內(nèi)還沒有掌握IGBT的核心技術(shù),目前國內(nèi)只是一些IGBT的封裝廠,沒有自己真正的品牌,沒有自主品牌拿什么跟人家競(jìng)爭(zhēng)?”
另外,缺少產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)和人才也是目前我國IGBT行業(yè)發(fā)展面臨的困境之一,雖然隨著一部分海歸回國創(chuàng)業(yè),在一定程度上改善了這種狀況,但是由于國內(nèi)大部分高校和研究機(jī)構(gòu)把精力轉(zhuǎn)向了SIC和GaN寬禁帶半導(dǎo)體器件及電源管理芯片方向,只有兩三家高校和研究機(jī)構(gòu)還在進(jìn)行IGBT器件相關(guān)的研發(fā),并且主要限于計(jì)算機(jī)仿真研究,這就導(dǎo)致了我國在IGBT設(shè)計(jì)和研發(fā)方面的人才奇缺。
破繭成長(zhǎng)
因?yàn)閲鴥?nèi)企業(yè)在IGBT芯片設(shè)計(jì)、制造以及封裝各環(huán)節(jié)的技術(shù)和積累都比較少,短期內(nèi)趕上國際水平不太現(xiàn)實(shí),所以,提升進(jìn)口替代產(chǎn)品的能力就成了國內(nèi)企業(yè)首選方向,以價(jià)格優(yōu)勢(shì)和本土優(yōu)勢(shì)搶占市場(chǎng)份額,據(jù)了解,IGBT國產(chǎn)化器件相比國外企業(yè)成本節(jié)約15~20%,即使售價(jià)減少40%,國內(nèi)企業(yè)依然擁有30%以上的毛利率。另外,國外企業(yè)產(chǎn)品定位大部分是工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域大功率IGBT,而我國是世界上最主要的家電生產(chǎn)和消費(fèi)國,加上小功率IGBT生產(chǎn)門檻較大功率低,所以,國內(nèi)企業(yè)進(jìn)入IGBT行業(yè)家電領(lǐng)域是最適合的切入點(diǎn)。“在過去2-3年中,國產(chǎn)IGBT特別是1200V 平面非穿通型和1200V 溝槽非穿通型,在消費(fèi)電子市場(chǎng)有了突破。預(yù)計(jì)未來2-3年,將在600V以及1700V甚至更高電壓的技術(shù)上有所突破。中大功率應(yīng)用將會(huì)在未來3-5年內(nèi)看到國產(chǎn)IGBT器件。”從華潤(rùn)上華分立器件產(chǎn)品開發(fā)中心總經(jīng)理吳宗憲回答可以看出,他對(duì)國產(chǎn)IGBT的發(fā)展前景充滿信心。
而智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)、新能源汽車以及家電節(jié)能等本土市場(chǎng),更為企業(yè)的技術(shù)突破,實(shí)現(xiàn)IGBT的替代創(chuàng)造了堅(jiān)實(shí)的市場(chǎng)基礎(chǔ)。尤其是節(jié)能與新能源是國家發(fā)展新興科技產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn),而IGBT則是節(jié)能與新能源領(lǐng)域核心器件,所以IGBT產(chǎn)業(yè)化不僅僅是市場(chǎng)需求,同時(shí)也是國家發(fā)展的戰(zhàn)略需求。發(fā)改委于2010年3月19日下發(fā)紅頭文件:《國家發(fā)展改革委辦公廳關(guān)于組織實(shí)施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)的通知》,其專項(xiàng)重點(diǎn)明確了以IGBT為代表的芯片和器件的設(shè)計(jì)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、功率模塊產(chǎn)業(yè)化。這說明國家對(duì)目前功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化的現(xiàn)狀已有比較深刻的認(rèn)識(shí)和危機(jī)意識(shí)。
上圖為目前國內(nèi)IGBT企業(yè)分布圖