最后的批次加工或在線清洗系統
在最后的在線清洗系統中，硅片是在臥式系統中運送和加工，用化學試劑清洗，同時加上不同的超聲墊組合。

工業生產中，最終清洗工藝步驟主要使用批加工類型的濕法化學清洗設備。RENA和其他供應商提供最終清洗用的在線設備。這些設備的長度一般為6-11米。在此系統中，殘留的碎片和微粒從硅片表面除去，最后一步是干燥工藝。結果得到干燥、沒有污跡的清潔硅片，可以用于電池片的第一個工藝（絨化）了。

硅片的表面質量和機械性質
切割工藝后，硅片表面必須從Si切口清洗。在切片工藝過程中，約50%的Si材料以Si微粒的形式損失了。這些硅微粒轉移到切割液中，因而使硅片表面沾污。約95-98%的微粒、雜質和有機物在RENA預清洗系統中已經除去。殘留的5-2%在最終清洗工藝中除去。

最終清洗工藝后，硅片表面通常用硅片檢測系統檢驗。高分辨率檢測系統的表面分析能顯示硅片表面這種污染的殘留物。

S/FASW硅片的表面質量
眾所周知，FASW硅片工藝在工業化生產中有巨大的好處（切割物料損失的循環利用，增加線切割的產額和大大減少資本支出和運營成本），獲得產業越來越多的采用。

圖6顯示了漿料切割與FASW切割的單晶硅片之間污染的質與量的不同。這些硅片的來源相同，因而是可比的。將漿料切片與FASW切片工藝的金屬污染做比較。金屬污染的量用電感耦合等離子體質譜法(ICP-MS)測量。

圖7顯示硅片表面的有機污染。用氣相色譜質譜聯用方法(GC-MS)進行測量。與金屬殘留物的結果相反，漿料切割的硅片的有機污染分量比FASW硅片要少。使用不同設備時，觀測到不同的清洗結果。最終要求一個可接受污染水平的通用指標，現在應由硅片和太陽能電池制造商合作開發。