盡管我國高純硅材料產業在工藝技術方面取得了突破性進展，但仍存在以下幾方面的問題：　
　　一是下游市場在外，盲目擴產風險大

　　目前我國有十幾家企業已經開工建設高純硅的生產線，如果都按計劃建設完成，預測2008年我國高純硅的生產能力將達到2萬噸左右，到2010年將有可能超過6萬噸。我國高純硅產業鏈的主要下游市場在國外，國內太陽能并網發電價格政策尚未出臺，市場發展緩慢，一旦以上項目均按計劃建成，勢必面臨產能過剩的局面，威脅行業的發展。

　　二是高純硅項目無序上馬，低水平重復建設現象嚴重

　　高純硅材料產業的投資資金和技術門檻都很高，一個西門子法千噸規模的高純硅項目，投資在10億元人民幣左右。目前，我國正在建設的高純硅項目，很多項目是“翻版”項目，工藝技術裝備基本雷同，總體技術水平有待驗證或完善提高。如果形成無序上馬、低水平重復建設的局面，勢必帶來行業混亂，造成資源和能源的浪費，給企業和國家造成損失。

　　三是國內整體技術水平與國外先進水平尚存在差距

　　目前國內千噸級規模化生產核心技術尚未完全掌握，與世界先進水平還存在一定的差距。已生產出的高純硅材料技術經濟指標普遍不高，產品缺乏國際競爭力。

　　四是人才隊伍嚴重缺乏，創新能力不強

　　我國高純硅在國內仍然屬于新興產業，技術貯備和人才缺乏是行業發展所面臨的主要困難。

　　五是產品質量參差不齊，有待技術標準規范市場

　　目前國內企業生產的高純硅材料質量基本在國標電子級2級到3級之間，少量達到電子級1級水平，僅能滿足8英寸以下半導體硅片的制備要求；太陽能級高純硅產品質量也不是很穩定，需要盡快建立國家標準統一規范行業及市場。

　　六是國內大部分已建和再建生產線對循環經濟和副產物綜合利用等問題考慮不足。

　　由于采用西門子法生產高純硅會產生大量的四氯化硅等副產物，如不妥善處理，將會對產品成本、環境保護等帶來不利影響。四氯化硅氫化及綜合利用技術難度大，國內企業正在積極攻克，只有實現生產線上的連續運行，才能形成高純硅生產系統的閉路循環。

　　建議：

　　首先，加強創新能力建設，支持創新技術研發平臺建設高純硅材料工程實驗室，加大技術研發與集成創新，并結合引進技術的消化吸收，提高產業化技術水平。

　　其次，由于多晶硅生產系統物料多為易燃、易爆介質，非標設備多、系統復雜，冷熱平衡要求高、技術難度大，加上多晶硅行業規模小，專業技術人才匱乏等原因，有些企業通過挖人或引進局部技術、單體設備等辦法匆忙開工建設，導致新建項目可能會面臨技術的可靠性、系統安全性、環保、投資和知識產權糾紛等風險，建議想上多晶硅的企業審慎行事，減少或避免不必要的浪費。建議國家加強高純硅材料產業發展的正確引導，重點支持有技術和產業化基礎的企業進一步開發技術，綜合利用，擴產建設。建議各地方政府深入了解產業狀況，不要盲目重復建設，嚴格從節能、環保等方面控制項目的備案。保證多晶硅產業和諧、健康、穩定、持久地發展。

　　第三，高純硅項目是技術密集的工程化項目，技術集成必須與關鍵技術裝備相結合，提高我國高純硅核心裝備制造業水平，從而提升產業競爭實力。

　　第四，開展太陽能應用技術研究，降低成本，推動光伏太陽能電池應用市場的普及，建議國家出臺扶持光伏發電上網優惠政策，引導國內市場發展。