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XSiL公司將上市用于超薄硅晶圓的激光切割機

   2007-11-24 不詳不詳13920
  愛爾蘭XSiL公司在“2007年國際半導體設備與材料展覽會(SEMICON West 2007)”(7月16日~20日,美國舊金山)舉行的同時,上市硅晶圓專用的激光切割機。

  前工序處理的300mm(直徑)硅晶圓的厚度一般為775μm。而后工序處理的晶圓的厚度則不同,為了實現高密度封裝,近來已減薄到了100μm以下。此次XSiL公司將上市激光切割機“X300D+”的特點是:可在設備內部連續進行此前分別處理的四道工序,實現穩定生產,降低成本的目標。

通過對切斷側壁進行干式蝕刻來提高裸片強度

【日經BP社報道】

  四道工序分別為:(1)用以防止切割顆粒(碎屑)附著的涂裝工序:在晶圓上涂布非離子類水溶性涂劑,以防止切割時產生的碎屑附著在元件上。(2)小損傷切割工序:使用高功率紫外線脈沖激光器(波長355nm)高速切割晶圓和DAF(Die Attach Film),以此來抑制芯片的缺損(崩邊)及損傷。(3)洗凈工序:經過涂裝及切割后的晶圓利用設備下部的洗凈裝置進行純水洗凈,去除在最初工序中涂布的涂層及附著的碎屑。(4)無等離子的干蝕刻工序:使用面向超薄硅晶圓新開發的XeF2干蝕刻技術“MaxFlex”,對切割成片的裸片的切斷側壁進行蝕刻。通過減少給裸片造成的應力來提高強度。(特約撰稿人:橋本哲)

 
標簽: 硅晶圓
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