近期,上海微系統與信息技術研究所研究發現,在絕緣體上制備石墨烯使用鍺薄膜做催化劑,可制備出高質量單層石墨烯材料,解決了使用其他金屬催化劑引入金屬沾污的問題。該項研究為獲得晶圓級絕緣體上石墨烯奠定了基礎,有助于推動石墨烯材料在微電子領域的應用。
業內表示,石墨烯,由于其優異的物理性質一直受到學術界的廣泛關注,為了實現在微電子領域的應用,石墨烯薄膜需要轉移或直接生長到絕緣襯底上。直接在絕緣襯底上生長石墨烯,有利于獲得晶圓級石墨烯材料,對推動石墨烯材料在集成電路等領域的應用具有重要意義。鍺材料應用范圍增加,相關鍺資源公司有望受益。