2009年對于半導(dǎo)體設(shè)備制造業(yè)來說是挑戰(zhàn)和機(jī)會并存的一年。這次產(chǎn)業(yè)的低谷處在全球經(jīng)濟(jì)的嚴(yán)重衰退的宏觀大背景下，對設(shè)備行業(yè)的打擊顯得尤為嚴(yán)重。芯片制造商的設(shè)備銷售大幅度下降，使得整個行業(yè)都彌漫著悲觀的情緒。盡管面對這樣低迷的環(huán)境，中微公司利用這次衰退機(jī)會來推進(jìn)我們的設(shè)備進(jìn)入市場的進(jìn)程，并進(jìn)一步擴(kuò)大我們的客戶群。在某種意義上來說，低迷時期為我們的市場布局帶來了鍥機(jī)， 因為我們有極具競爭力的設(shè)備產(chǎn)品，獨(dú)特的低成本商業(yè)模式，良好的資金狀況，以及與現(xiàn)有及潛在顧客的良好關(guān)系。伴隨著去年全球經(jīng)濟(jì)狀況的窘境和芯片制造不斷進(jìn)入更小尺度所帶來的更加昂貴的制造成本，客戶更加看重我們獨(dú)特的甚高頻去耦合的反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)，及雙臺反應(yīng)器系統(tǒng)所帶來的明顯的成本優(yōu)勢。

盡管我們?nèi)〉昧艘恍┻M(jìn)步，但我們?nèi)匀徽J(rèn)真地調(diào)整了我們的企業(yè)作業(yè)，并推行了一系列的成本控制方案來應(yīng)對低迷的經(jīng)濟(jì)形勢。同時，我們也著眼于企業(yè)的長遠(yuǎn)布局，為創(chuàng)新和研發(fā)預(yù)留了充足的資金，在不斷改進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品性能的同時，對前段和封裝三維期間的TSV刻蝕技術(shù)和設(shè)備的研發(fā)投入了很多的資源。這使我們能在一個更主動的位置，以爭取更多的市場機(jī)會。

很多亞洲一流的芯片制造商對我們產(chǎn)品的興趣與日俱增，尤其是對我們Primo D-RIE 刻蝕設(shè)備。這個設(shè)備在客戶生產(chǎn)線以出眾的表現(xiàn)驗證了其技術(shù)的優(yōu)勢，其結(jié)果超出了我們的預(yù)期。特別為關(guān)鍵及普通刻蝕應(yīng)用設(shè)計的Primo DIRE，是一款極其靈活的設(shè)備，它既可以進(jìn)行加工最難的工藝過程，也可以加工其他一般的工藝過程，它既可以單獨(dú)加工一片芯片，也可以同時加工兩片芯片。

我們的刻蝕設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入到亞洲不同地區(qū)的數(shù)個芯片制造企業(yè)，并已收到了重復(fù)訂單。我們的客戶群包括晶圓代工廠及存儲器生產(chǎn)廠家。由于介質(zhì)刻蝕設(shè)備具有20-30億美元的市場， 所以我們將專注于這個技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。當(dāng)我們的客戶開始走出低谷，他們將注意力轉(zhuǎn)向40納米、32納米甚至22納米技術(shù)， 我們承諾和他們合作，以達(dá)到他們的需求。這意味著我們必須不斷地提高設(shè)備在更高端技術(shù)領(lǐng)域的性能，進(jìn)一步提高加工的均勻性和重復(fù)性。

展望2010年，我們將積極推進(jìn)我們的設(shè)備在所有區(qū)域的市場布局，當(dāng)然，我們也將會特別關(guān)注中國市場。在過去的10年里，中國一步步的策略實施，不僅為發(fā)展本土的芯片工業(yè)創(chuàng)造了條件，還吸引了像英特爾和 海力士這樣極具國際聲望的公司的投資，這樣的持續(xù)努力和投入將使中國不僅成為全球快速增長的電子產(chǎn)品市場中最大的芯片產(chǎn)品消費(fèi)者，并且成為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈核心企業(yè)的基地。現(xiàn)在中國消費(fèi)大量的集成電路產(chǎn)品，隨著這個消費(fèi)的進(jìn)一步增長，對中國來說，在其投資計劃中提高集成電路行業(yè)的優(yōu)先權(quán)和投入，是一個非常明智的決定。

現(xiàn)在，我們已經(jīng)做好了迎接2010年的準(zhǔn)備，我們將以持續(xù)的創(chuàng)新能力，提供使芯片生產(chǎn)廠家可以信賴的設(shè)備產(chǎn)品，來滿足先進(jìn)的芯片制造的需要。