近日，古瑞瓦特與全球知名的IC及半導體制造商安森美半導體達成深度戰略合作協議，雙方攜手成立聯合實驗室，共同推進IGBT在逆變器領域的技術創新與應用。
作為全球領先的逆變器品牌，古瑞瓦特為全球提供多元化的高品質產品和服務。逆變器內部，凡是經過大電流的功率型器件，如IGBT、電感等對品質要求極高，以確保逆變器能夠長期穩定工作。古瑞瓦特始終堅守嚴控內核品質，逆變器的核心元器件如IGBT單管或模塊、電容等，均使用國際一線品牌，此次與安森美半導體的深度合作就是針對IGBT等核心部件的供應與創新，古瑞瓦特全系列產品均采用了由安森美提供的優質IGBT、控制IC、功率二極管等元器件。安森美半導體(ON Semiconductor半導體公司是世界最大模擬IC、邏輯IC和分立半導體元件供應商之一,美國納斯達克上市)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。
聯合實驗室與獎杯
為了優化IGBT在逆變器應用端的表現，推進IGBT的技術創新，古瑞瓦特與安森美半導體攜手成立“古瑞瓦特新能源及安森美半導體聯合實驗室”。聯合實驗室位于古瑞瓦特的研發中心，安森美半導體提供各項設備并對古瑞瓦特研發團隊進行深入培訓技術交流，在實驗室中即可對IGBT在逆變器中的使用進行提前預演，從熱仿真、損耗測試、電壓、電流、溫度等多方面進行嚴格測試，保障IGBT的品質以及與逆變器的適配性。
安森美技術培訓與IGBT測試
古瑞瓦特總裁丁永強表示，古瑞瓦特始終堅持追求卓越品質，秉持以客戶為中心、以質量為底線的管理理念。實驗室成立后，古瑞瓦特和安森美半導體將建立更為緊密、長期的戰略合作關系，雙方將攜手打造更高品質的產品，我們相信古瑞瓦特與安森美戰略合作的加深將推動我們為客戶提供更創新的、領先市場的解決方案。
古瑞瓦特總裁丁永強與安森美半導體總裁兼首席執行官Keith D. Jackson
